Global Info Research（所在地：東京都中央区）は、このたび『6インチ炭化ケイ素エピタキシャルウェハーの世界市場2026年：メーカー、地域別、タイプ、用途別、2032年までの予測』と題する最新調査レポートを発表しました。本レポートでは、6インチ炭化ケイ素エピタキシャルウェハー市場の現状と将来の展望について、売上、販売量、価格推移、市場シェア、主要企業ランキングなど、多角的な定量分析を提供しています。さらに、地域別・国別、製品タイプ別、用途別に市場を細分化し、2021年から2032年までの長期予測を掲載。競争環境の変化や企業ごとの成長戦略を定性的にも分析し、業界関係者の戦略的意思決定を支援します。
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https://www.globalinforesearch.jp/reports/1354193/6-inch-silicon-carbide-epitaxial-wafer
市場背景：次世代パワーデバイスの中核材料
6インチ炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハーは、SiC基板上にエピタキシャル成長法（化学気相成長法：CVD）により高純度の単結晶層を形成した複合基板であり、SiCパワーデバイス製造における中核的材料です。SiCは、従来のシリコン（Si）と比較して、高耐圧、低損失、高温動作といった優れた物性を有しており、電気自動車（EV）のパワートレイン、充電インフラ、再生可能エネルギー発電システム（太陽光発電用パワーコンディショナ、蓄電システム）、産業用モーター制御など、高効率・高耐圧が要求される電力変換用途において急速に普及が進んでいます。
本市場は、電気自動車（EV）のパワートレイン電動化と再生可能エネルギーシステムの拡大を主要な成長ドライバーとして、高い成長フェーズを維持しています。8インチSiCウェハーの開発が加速しているものの、6インチウェハーは、成熟した製造装置との互換性と確立されたサプライチェーンにより、依然として商業生産の主流プラットフォームとしての地位を確立しています。
市場成長の促進要因：EV普及と再生可能エネルギー需要の拡大
6インチSiCエピタキシャルウェハー市場の成長を牽引する主要因として、以下が挙げられます。
第一に、電気自動車（EV）市場の急拡大です。EVの航続距離延伸と充電時間短縮を実現するため、インバーターやオンボードチャージャー（OBC）などのパワートレインには、高効率・低損失のSiCパワーデバイスの採用が拡大しています。特に、EVの主流である400Vシステムから800Vシステムへの移行に伴い、高耐圧デバイスへの需要が高まっており、これに対応する6インチSiCエピタキシャルウェハーの需要が急増しています。
第二に、再生可能エネルギー市場の拡大です。太陽光発電システム、風力発電システム、蓄電システム（ESS：Energy Storage System）において、電力変換効率の向上とシステムの小型化・軽量化を目的として、SiCパワーデバイスの採用が拡大しています。特に、大規模太陽光発電所（メガソーラー）や、住宅用蓄電システムにおいて、高耐圧・低損失デバイスの需要が高まっています。
第三に、産業用電源・モーター制御の高効率化です。工場の生産設備、サーバー用電源、空調設備など、産業用電力変換機器においても、省エネルギー化と小型化を目的としたSiCデバイスの採用が進んでいます。
市場構造：8インチ移行期における6インチの優位性
SiCウェハー市場において、大口径化（6インチ→8インチ）は、生産性向上とコスト低減の観点から長期的なトレンドです。しかしながら、現時点において6インチウェハーは以下の点で依然として主流の生産プラットフォームです。
- 製造装置の成熟度：現行のSiCエピタキシャル成長装置、デバイスプロセス装置（イオン注入、エッチング、アニールなど）の多くは6インチ対応が標準であり、8インチ対応装置への移行には新たな設備投資とプロセス開発が必要です。
- サプライチェーンの確立：6インチSiC基板の製造能力は、Wolfspeed、ROHM（SiCrystal）、Coherent（II-VI）、SK Siltronなどの主要サプライヤーによって世界的に拡大されており、安定した供給体制が構築されています。
- デバイスメーカーの生産ライン：多くのSiCデバイスメーカー（STMicroelectronics、Infineon、ON Semiconductorなど）は、現行の6インチラインにおいて生産能力の拡大と歩留まり向上を進めており、短期的には6インチウェハーが主力生産プラットフォームとしての地位を維持します。
市場の課題と重要要素：歩留まり向上と欠陥密度低減
SiCエピタキシャルウェハー市場の拡大において、以下の技術的課題が重要な要素となっています。
歩留まり（Yield）の向上：SiC基板の製造プロセス（結晶成長、切断、研磨）において、マイクロパイプ、転位、積層欠陥などの結晶欠陥が発生しやすく、これらが最終的なデバイスの歩留まりに大きく影響します。歩留まりの向上は、生産コストの低減と供給能力の拡大に直結する重要な開発テーマです。
欠陥密度の低減：SiCエピタキシャル層においても、基板由来の欠陥や、成長過程で発生する欠陥（三角形欠陥、キャリアライフタイムキラーなど）の低減が、デバイスの信頼性と性能（耐圧、オン抵抗）を決定づける重要な要素です。特に、高耐圧デバイス（1200V以上）においては、より厳格な欠陥管理が求められます。
厚膜エピタキシャル技術の高度化：高耐圧デバイス（3300V以上）においては、厚いエピタキシャル層（数十μm以上）が必要となります。均一な厚膜成長と、厚膜における欠陥密度の制御が、高耐圧デバイス市場の拡大において重要な技術的要素です。
産業構造の変化：垂直統合型ビジネスモデルの台頭
SiCエピタキシャルウェハー市場において、サプライチェーンの垂直統合（Vertical Integration）が進行しています。基板製造、エピタキシャル成長、デバイス製造を一貫して行う垂直統合型のビジネスモデルは、以下の理由から業界標準となりつつあります。
- 供給安定性の確保：急成長する需要に対して、基板からデバイスまでの一貫した供給体制を構築することで、外部依存度を低減し、安定的な製品供給を実現します。
- 品質管理の最適化：基板からエピタキシャル層、デバイスプロセスまでの一貫した品質管理体制により、歩留まり向上と欠陥低減を効率的に進めることが可能となります。
- コスト競争力の向上：サプライチェーン全体での最適化により、中間流通コストの削減や、プロセス全体での効率化が図られ、コスト競争力の向上につながります。
主要企業の市場シェアと競争環境
本レポートでは、世界の6インチSiCエピタキシャルウェハー市場における主要企業の販売量、売上、市場シェアを詳細に分析し、業界の競争構造を明らかにしています。主要企業には、Wolfspeed（米国）、ROHM (SiCrystal)（日本・ドイツ）、Coherent (II-VI)（米国）、SK Siltron（韓国）、STMicroelectronics（スイス）などのグローバルリーダーに加え、中国勢としてEpiWorld International、Tianyu Semiconductor、Best Compound Semiconductor、Xike Semiconductor、cecsic、Haiqian Semiconductor、Puxing Electronics、HS-mmcs、TankeBlueなど、新興メーカーが存在します。また、Resonac（旧昭和電工、日本）も重要なプレイヤーです。
これらの企業は、基板品質、エピタキシャル層の均一性、欠陥密度の低減技術、大口径化への対応能力、供給能力の拡大スピード、そして垂直統合による一貫供給体制において競争を展開しています。
製品別・用途別市場分類と地域別トレンド
6インチSiCエピタキシャルウェハー市場は、以下のセグメントに分類されます。
- 製品別：N Type（N型）、P Type（P型）
- 用途別：600-1200V SiC Devices（600-1200V）、1200-3300V SiC Devices（1200-3300V）、Above 3300V SiC Devices（3300V超）
製品別では、N型エピタキシャルウェハーが、ショットキーバリアダイオード（SBD）やMOSFETなどの主要なパワーデバイスに使用されるため、市場の大部分を占めています。
用途別では、600-1200Vクラスが、EVのメイントレインインバーター（800Vシステム対応）、オンボードチャージャー（OBC）、DC-DCコンバーターなど、最も需要が拡大しているセグメントです。1200-3300Vクラスは、大規模太陽光発電用パワーコンディショナ、鉄道用電源、産業用高圧電源などにおいて需要があります。3300V超クラスは、送変電設備、大規模産業用モーター制御など、限定的な用途における需要が存在します。
地域別では、アジア太平洋地域が世界最大の市場として位置づけられ、中国、日本、韓国、台湾におけるEV生産拠点の集積と、SiCデバイス製造能力の拡大が需要を牽引しています。北米市場は、WolfspeedやCoherentなどの基板メーカーの本拠地であり、EV市場の成長と再生可能エネルギー投資が需要を支えています。欧州市場は、STMicroelectronics、Infineonなどのデバイスメーカーの集積と、自動車産業のEVシフトが市場成長に寄与しています。
市場分析・発展動向・業界見通し：2032年までの成長シナリオ
本調査における市場分析では、2026年から2032年にかけての年平均成長率（CAGR）を18.5％と予測しています。この高成長を支える主要因として、以下が挙げられます。
第一に、EV市場におけるSiC採用の本格化です。800Vシステムの普及、SiCインバーターの標準化、航続距離延伸と充電時間短縮に対する需要の高まりにより、EV1台あたりのSiC搭載量が増加しています。これに伴い、6インチSiCエピタキシャルウェハーの需要は中期的に急拡大することが見込まれます。
第二に、再生可能エネルギー市場におけるSiC需要の拡大です。各国のカーボンニュートラル政策に伴う太陽光・風力発電の導入拡大、および蓄電システムの普及に伴い、高効率な電力変換を実現するSiCデバイスの需要が拡大しています。
第三に、産業用電源・モーター制御における省エネルギー化ニーズの高まりです。工場の生産設備、サーバー用電源、空調設備などにおいて、エネルギー消費の削減と機器の小型化を目的としたSiCデバイスの採用が拡大しています。
発展動向として注目すべきは、8インチ化の進展と、新たなデバイス構造への対応です。長期的には8インチSiCウェハーへの移行が進むと見込まれますが、6インチウェハーは、コスト競争力と成熟した生産インフラを背景に、中期的には依然として主力プラットフォームとしての地位を維持すると予想されます。また、トレンチゲート構造や、スーパージャンクション構造など、より高性能なSiCデバイスに対応したエピタキシャル層の開発も進展しています。
業界見通しと戦略的示唆
今後の業界見通しとして、6インチSiCエピタキシャルウェハー市場は、化合物半導体産業における高成長・技術集約型の材料市場として位置づけられます。EV市場の急拡大、再生可能エネルギー需要の増加、産業用機器の高効率化という複数のマクロトレンドを背景に、中長期的に高い成長が持続することが見込まれます。
メーカーにとっては、基板品質の向上、欠陥密度の低減、歩留まりの改善といった技術的要素に加え、垂直統合による一貫供給体制の構築、大口径化への対応、そして需要の急拡大に対応する生産能力の拡大が、競争力の源泉となります。
ユーザー企業（SiCデバイスメーカー）にとっては、ウェハー単体の価格だけでなく、品質の安定性、供給能力、長期的なパートナーシップ、そして共同開発における技術サポート能力を含めた総合的な評価が、調達判断において重要となります。特に、需要が急速に拡大する中、長期的な供給安定性の確保は、デバイスメーカーにとって重要な経営課題であり、基板・エピタキシャルメーカーとの戦略的連携が不可欠となっています。
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